In a semiconductor laser element, a lower cladding layer of a first
conductive type, a GaAs first optical waveguide layer of the first
conductive type or an undoped type, an InGaAsP or InGaAs
compressive-strain active layer, a GaAs second optical waveguide layer of
a second conductive type or an undoped type, and an upper cladding portion
are formed on a GaAs substrate of the first conductive type. The active
layer is not formed in at least one vicinity of at least one end facet,
and the space in the at least one vicinity of the at least one end facet
is filled with a third optical waveguide layer of the second conductive
type or an undoped type, where the bandgaps of the first, second, and
third second optical waveguide layers are greater than the bandgap of the
active layer.
В элементе лазера полупроводника, более низкий слой плакирования первого проводного типа, слой волновода gaAs первого оптически первого проводного типа или undoped тип, слой сжимающ-napr4jeni4 InGaAsP или InGaAs активно, слой волновода gaAs во-вторых оптически второго проводного типа или undoped типа, и верхняя часть плакирования сформированы на субстрате gaAs первого проводного типа. Активно слой не сформирован в по крайней мере одной близости по крайней мере одной фасетки конца, и космос в по крайней мере одной близости по крайней мере одной фасетки конца заполнен с третьим оптически слоем волновода второго проводного типа или undoped типа, где bandgaps первых, вторых, и третьих вторых оптически слоев волновода greater than bandgap активно слоя.
