The present invention relates to a semiconductor device with quantum dots
and a method of manufacturing the same, and a structure of the
semiconductor device which can control an emission wavelength of the
quantum dots and a method of manufacturing the same are provided. The
semiconductor device comprises a compound semiconductor substrate
containing at least three elements, and quantum dots which are formed on
the compound semiconductor substrate and whose emission wavelength is
adjusted by the lattice constant of the compound semiconductor substrate.
La présente invention concerne un dispositif de semi-conducteur avec des points de quantum et une méthode de fabriquer la même chose, et une structure du dispositif de semi-conducteur qui peut commander une longueur d'onde d'émission des points de quantum et une méthode de fabriquer la même chose sont fournies. Le dispositif de semi-conducteur comporte un substrat de semi-conducteur composé contenant au moins trois éléments, et le quantum pointille qui est formé sur le substrat de semi-conducteur composé et dont la longueur d'onde d'émission est ajustée par la constante de trellis du substrat de semi-conducteur composé.
