The method of forming a ferroelectric memory device includes forming
capacitor patterns over a substrate, each capacitor pattern having an
adhesive assistant pattern, a lower electrode, a ferroelectric pattern,
and an upper electrode. An oxygen barrier layer is formed over the
substrate and is etched to expose a sidewall of the ferroelectric pattern
but not a sidewall of the adhesive assistant pattern. Then, a thermal
process for curing ferroelectricity of the ferroelectric pattern is
performed.
El método de formar un dispositivo de memoria ferroelectric incluye la formación de patrones del condensador sobre un substrato, cada patrón del condensador que tiene un patrón auxiliar adhesivo, un electrodo más bajo, un patrón ferroelectric, y un electrodo superior. Una capa de barrera del oxígeno se forma sobre el substrato y se graba al agua fuerte para exponer un flanco del patrón ferroelectric pero no un flanco del patrón auxiliar adhesivo. Entonces, un proceso termal para curar el ferroelectricity del patrón ferroelectric se realiza.
