A method of extracting the interconnection capacitance of a semiconductor
integrated circuit is provided. An interconnection structure composed of a
plurality of signal lines and dummy conductive patterns disposed between
the signal lines is made into data. Data on interconnection structure
primitives, which are made by changing portions of the dummy patterns into
high-k dielectric materials is generated based on the interconnection
structure data. Capacitance of the interconnection structure is then
extracted by inputting data on the interconnection structure primitives to
an RC extractor and operating the data. According to this method,
extracting interconnection capacitance is easily applied to various types
of RC extractors. Moreover, the time required to extract the
interconnection capacitance is reduced.
Um método de extrair a capacidade da interconexão de um circuito integrado do semicondutor é fornecido. Uma estrutura da interconexão composta de um plurality de linhas de sinal e dos testes padrões condutores dummy dispôs entre as linhas de sinal é feita em dados. Os dados nos primitivos da estrutura da interconexão, que são feitos mudando parcelas dos testes padrões dummy em materiais dieléctricos elevados-k são gerados basearam nos dados da estrutura da interconexão. A capacidade da estrutura da interconexão é extraída então por dados inputting nos primitivos da estrutura da interconexão a um extrator e a operar de RC os dados. De acordo com este método, extrair a capacidade da interconexão é aplicado fàcilmente aos vários tipos de extratores de RC. Além disso, o tempo requerido para extrair a capacidade da interconexão é reduzido.
