An organic field-effect transistor comprises source and drain electrodes
formed separately from each other on a substrate, wherein the substrate
comprises at least an organic semiconductor layer constituting a channel
between the source and drain electrodes, an insulation layer underlying
the organic semiconductor layer, and a gate electrode formed on the
opposite side of the isolation layer. The organic semiconductor layer
comprises hole and electron transporters, wherein the electron
transporters comprise (6,6)-phenyl C61-butyric acid methyl ester (PCBM),
and wherein the hole transporters comprise
poly(2-methoxy-5-(3',7'-dimethyloctyloxy)-1,4-phenylene-vinylene)(OC.sub.1
C.sub.10 -PPV) and/or poly(3-hexylthiophene) (P3HT).
Um transistor orgânico do field-effect compreende a fonte e os elétrodos do dreno dados forma separada de se em uma carcaça, wherein a carcaça compreende ao menos uma camada orgânica do semicondutor que constitui uma canaleta entre a fonte e os elétrodos do dreno, uma camada da isolação subjacentes a camada orgânica do semicondutor, e um elétrodo de porta dado forma no lado oposto da camada da isolação. A camada orgânica do semicondutor compreende o furo e transporters do elétron, wherein os transporters do elétron compreendem (o ester methyl ácido de 6,6)-phenyl C61-butyric (PCBM), e wherein os transporters do furo compreendem poly(2-methoxy-5-(3', 7'-dimethyloctyloxy)-1, 4-phenylene-vinylene)(OC.sub.1 C.sub.10 - PPV) e/ou poly(3-hexylthiophene) (P3HT).
