A semiconductor device includes a TFT, a diode and a capacitor that each
have an insulating layer which includes a tantalum oxide film formed by
oxidizing a tantalum film at a temperature of 300.degree. C. to
400.degree. C. and under a pressure of 0.5 MPa to 2 MPa, and a silicon
oxide film formed by a CVD method and the like. Therefore, the insulating
layer includes the tantalum oxide film produced by high-pressure annealing
and thus has high voltage resistance.
Прибора на полупроводниках вклюает TFT, диод и конденсатор которому каждое имеет изолируя слой который вклюает пленку окиси тантала сформированную путем окислять пленку тантала на температуре 300.degree. C к 400.degree. C и под давлением 0.5 MPa до 2 MPa, и пленка окиси кремния сформировали методом cvd и подобием. Поэтому, изолируя слой вклюает пленку окиси тантала произведенную высоконапорным отжигом и таким образом имеет высоковольтное сопротивление.
