The present invention relates to a semiconductor device in which a barrier
insulating film is formed to cover a copper film or a wiring consisting
mainly of the copper film. The barrier insulating film is a structure of
two or more layers including at least a first barrier insulating film
containing silicon, oxygen, nitrogen and hydrogen or silicon, oxygen,
nitrogen, hydrogen and carbon, and a second barrier insulating film
containing silicon, oxygen and hydrogen or silicon, oxygen, hydrogen and
carbon.
Die anwesende Erfindung bezieht auf einem Halbleiterelement, in dem ein Sperre isolierender Film gebildet wird, um einen kupfernen Film oder eine Verdrahtung zu umfassen, die hauptsächlich aus dem kupfernen Film bestehen. Der Sperre isolierende Film ist eine Struktur von zwei oder mehr Schichten einschließlich mindestens einen erste Sperre isolierenden Film, der Silikon, Sauerstoff, Stickstoff und Wasserstoff oder Silikon, Sauerstoff, Stickstoff, Wasserstoff und Carbon und ein zweite Sperre isolierender Film enthält Silikon, Sauerstoff und Wasserstoff oder Silikon, Sauerstoff, Wasserstoff und Carbon enthält.
