Disclosed is a method of tungsten-based hard mask etching of a wafer,
comprising providing a patterned tungsten-based hard mask atop a
metal-based surface of said wafer, etching through said pattern with a
plasma etch that is selective for said metal-based surface with respect to
tungsten, and executing a flash etch selective for tungsten, said etch of
at least a minimum duration effective in removing substantially all
defects caused by tungsten particulate contaminating said wafer. In
another aspect of the first embodiment, said tungsten-based hard mask
comprises a material selected from tungsten or an alloy thereof. In
another aspect of the first embodiment, said metal based surface comprises
a material selected from aluminum or an alloy thereof.
Révélée est une méthode gravure à l'eau-forte dure à base de tungstène de masque d'une gaufrette, comportant fournissant à un masque dur à base de tungstène modelé placé sur une surface métal-basée de ladite gaufrette, gravant à l'eau-forte par ledit modèle gravure à l'eau forte de plasma qui est sélective pour ladite surface métal-basée en ce qui concerne le tungstène, et exécutant gravure à l'eau forte instantanée sélective pour le tungstène, gravure à l'eau forte au moins d'une durée minimum efficace en enlevant presque tous les défauts provoqués par la substance particulaire de tungstène souillant ladite gaufrette. Dans un autre aspect de la première incorporation, ledit masque dur à base de tungstène comporte un matériel choisi parmi le tungstène ou un alliage en. Dans un autre aspect de la première incorporation, la surface basée ledit par métal comporte un matériel choisi parmi l'aluminium ou un alliage en.
