A method for forming a dual gate includes providing a semiconductor
substrate that has a first region of a first conductivity type and a
second region of a second conductivity type. A gate insulating layer is
formed on the semiconductor substrate. An initial metal nitride layer is
formed on the gate insulating layer, opposite to the semiconductor
substrate. Nitrogen ions are implanted into the initial metal nitride
layer in the second transistor region to form a nitrogen-rich metal
nitride layer. The initial metal nitride layer is patterned to form a
first gate electrode in the first region. The nitrogen-rich metal nitride
layer is patterned to form a second gate electrode in the second region.
The work function of the nitrogen-rich metal nitride layer is higher than
that of the initial metal nitride layer.
Um método para dar forma a uma porta dupla inclui fornecer uma carcaça do semicondutor que tenha uma primeira região de um primeiro tipo do conductivity e uma segunda região de um segundo tipo do conductivity. Uma camada isolando da porta é dada forma na carcaça do semicondutor. Uma camada inicial do nitride do metal é dada forma na camada isolando da porta, oposta à carcaça do semicondutor. Os íons do nitrogênio implanted na camada inicial do nitride do metal na segunda região do transistor para dar forma a uma camada nitrogênio-rica do nitride do metal. A camada inicial do nitride do metal é modelada para dar forma a um primeiro elétrodo de porta na primeira região. A camada nitrogênio-rica do nitride do metal é modelada para dar forma a um segundo elétrodo de porta na segunda região. A função do trabalho da camada nitrogênio-rica do nitride do metal é mais elevada do que aquela da camada inicial do nitride do metal.
