A circuit fabrication and lithography process utilizes a mask including
dense repetitive structures of features that result in a wide array of
fine densely populated features on the exposed substrate film. Following
this, a trimming procedure is performed to remove any unwanted fine
patterned features providing multiple trimmed patterns on the substrate.
An optional final step adds additional features as well as the
interconnect features thus forming a circuit pattern. In this manner, all
fine features may be generated using the exact same density of intensity
patterns, and therefore, maximum consistency between features is
established without the need for optical proximity correction. The
secondary exposures are substantially independent from the initial
dense-feature exposure in that the exposure of one set of features and the
subsequent exposure of another set of features result in separate
independent resist or masking layer reactions, thus minimizing corner
rounding, line end shortening and other related spatial frequency effects
and unwanted exposure memory effects.
Un processus de fabrication et de lithographie de circuit utilise un masque comprenant les structures réitérées denses des dispositifs qui ont comme conséquence une grande sélection de dispositifs en masse peuplés d'amende sur le film exposé de substrat. Après ceci, un procédé de règlage est exécuté pour enlever tous les dispositifs modelés fins non désirés fournissant les modèles équilibrés multiples sur le substrat. Une étape finale facultative ajoute les dispositifs additionnels aussi bien que l'interconnexion comporte former de ce fait un modèle de circuit. De cette manière, tous les dispositifs fins peuvent être produits en utilisant l'exact la même densité des modèles d'intensité, et donc, l'uniformité maximum entre les dispositifs est établie sans besoin de correction optique de proximité. Les expositions secondaires sont essentiellement indépendantes de l'exposition initiale de dense-dispositif parce que l'exposition d'un ensemble de dispositifs et l'exposition suivante d'un autre ensemble de dispositifs ont comme conséquence le indépendant séparé résistent ou les réactions de couche masquante, de ce fait réduisant au minimum l'arrondissage de coin, la ligne rapetissement d'extrémité et d'autres effets spatiaux relatifs d'effet de fréquence et non désirés d'exposition de mémoire.
