A semiconductor laser device comprises an optical fiber having an optical
fiber grating formed therein, a semiconductor laser having an active layer
with a single quantum well, for emitting laser light, and a coupling
optical system for coupling the laser light emitted out of the
semiconductor laser into the optical fiber. The coupling optical system
can include a narrow-band filter for adjusting an incident angle of the
laser light emitted out of the semiconductor laser. The optical fiber
grating can have a reflection bandwidth wider than or substantially equal
to a 3 dB bandwidth of the gain of the semiconductor laser or a spectrum
full width at half maximum of the laser light of the semiconductor laser.
Un dispositif de laser de semi-conducteur comporte une fibre optique ayant un râpage de fibre optique formé là-dedans, un laser de semi-conducteur ayant une couche active avec un seul quantum bien, pour émettre la lumière de laser, et un système optique d'accouplement pour coupler la lumière de laser émise hors du laser de semi-conducteur dans la fibre optique. Le système optique d'accouplement peut inclure un filtre à bande étroite pour ajuster un angle d'incident de la lumière de laser émise hors du laser de semi-conducteur. Le râpage de fibre optique peut avoir une largeur de bande de réflexion plus au loin qu'ou essentiellement égal à une largeur de bande du DB 3 du gain du laser de semi-conducteur ou largeur de spectre à une pleine à demi de maximum de la lumière de laser du laser de semi-conducteur.
