A process provides a ceramic film, such as a mesoporous silica film, on a
substrate, such as a silicon wafer. The process includes preparing a
film-forming fluid containing a ceramic precursor, a catalyst, a
surfactant and a solvent, depositing the film-forming fluid on the
substrate, and removing the solvent from the film-forming fluid on the
substrate to produce the ceramic film on the substrate. The ceramic film
has a dielectric constant below 2.3, a halide content of less than 1 ppm
and a metal content of less than 500 ppm, making it useful for current and
future microelectronics applications.
Un proceso proporciona una película de cerámica, tal como una película mesoporous de la silicona, en un substrato, tal como una oblea de silicio. El proceso incluye la preparación de un líquido filmógeno que contiene un precursor de cerámica, un catalizador, un surfactant y un solvente, depositando el líquido filmógeno en el substrato, y quitando el solvente del líquido filmógeno en el substrato para producir la película de cerámica en el substrato. La película de cerámica tiene una constante dieléctrica debajo de 2.3, un contenido halide de menos de 1 PPM y un contenido del metal de menos de 500 PPM, haciéndolo útil para los usos actuales y futuros de la microelectrónica.
