An array of nanometric dimensions consisting of two or more arms,
positioned side by side, wherein the arms are of such nanometric
dimensions that the beams can be moved or deformed towards or away from
one another by means of a low voltage applied between the beams, whereby
to produce a desired optical, electronic or mechanical effect. At
nanometer scale dimensions structures previously treated as rigid become
flexible, and this flexibility can be engineered since it is a direct
consequence of material and dimensions. Since the electrostatic force
between the two arms is inversely proportional to the square of the
distance, a very considerable force will be developed with a low voltage
of the order of 1-5 volts, which is sufficient to deflect the elements
towards or away from one another. As preferred, the bulk of the element
may comprise an insulating material, and an upper conductive layer is
applied on the upper surface, where the element is formed by a
nanolithography method such as nanoimprint lithography (NIL).
Alternatively the elements may be formed completely of conductive
material, where the elements are formed by a CMOS metalization process.
Een serie van nanometric afmetingen die zij aan zij geplaatst uit twee of meer wapens bestaan, waarin de wapens van dergelijke nanometric afmetingen zijn kunnen de stralen waarnaar of vanaf elkaar door middel van een laag voltage zijn op weg geweest of worden misvormd paste tussen de stralen, waardoor om een gewenst optisch, elektronisch of mechanisch effect toe te veroorzaken. Bij de dimensies van de nanometerschaal structuren worden die eerder als stijf worden de behandeld flexibel, en deze flexibiliteit kan worden gebouwd aangezien het een direct gevolg van materiaal en afmetingen is. Aangezien de elektrostatische kracht tussen de twee wapens omgekeerd evenredig aan het vierkant van de afstand is, zal een zeer aanzienlijke kracht met een laag voltage van ongeveer 1-5 volts worden ontwikkeld, die volstaat om de elementen elkaar te doen afwijken naar of vanaf. Zoals de voorkeur gehad, kan het grootste deel van het element uit een isolerend materiaal bestaan, en een hogere geleidende laag wordt toegepast op de hogere oppervlakte, waar het element door een nanolithographymethode zoals nanoimprintlithografie wordt gevormd (NUL). Alternatief kunnen de elementen volledig van geleidend materiaal worden gevormd, waar de elementen door een CMOS metalizationproces worden gevormd.
