The present invention relates to a sapphire monocrystalline body to be used
as the substrate for a semiconductor for electronic parts or component
parts, and to a monocrystalline sapphire substrate. The invention also
relates to a method for working the same. The invention is based cleavage
along the plane R of the sapphire monocrystalline body which cleavage is
easy to accomplish and provides a surface high in precision. The inventive
process includes forming linear crack parallel or vertical to a reference
plane of the substrate, with a microcrack line as a starting point, to
develop a crack in a thickness direction of the body.
La presente invenzione riguarda un corpo monocristallino dello zaffiro da usare come il substrato per un semiconduttore per le componenti elettroniche o gli elementi e ad un substrato monocristallino dello zaffiro. L'invenzione inoltre si riferisce ad un metodo per il funzionamento dello stesso. L'invenzione è fenditura basata lungo il piano R del corpo monocristallino dello zaffiro che la fenditura è facile da compire e fornisce un high della superficie nella precisione. Il processo inventivo include formare il parallelo o il verticale lineare della crepa ad un piano di riferimento del substrato, con una linea del microcrack come punto di partenza, per sviluppare una crepa in un senso di spessore del corpo.
