It is an object of the present invention to provide a fine memory cell
structure preventing a reaction between an interlayer insulating film and
a ferroelectric film and suitable for high integration. According to the
invention, there is provided a structure in which a reaction barrier film
43 is interposed between a ferroelectric film 71 and an interlayer
insulating film 32 and side walls of a diffusion barrier film 51 are not
brought into direct contact with the ferroelectric film 71. Thereby, the
reaction between the interlayer insulating film 32 and the ferroelectric
film 71 can be restrained and exfoliation of the ferroelectric film 71 can
be prevented.
Het is een doel van de onderhavige uitvinding om een fijne structuur die van de geheugencel te verstrekken een reactie tussen een tussenlaag isolerende film en een ferroelectric film verhindert en geschikt voor hoge integratie. Volgens de uitvinding, er verstrekt een structuur wordt waarin een film 43 van de reactiebarrière tussen een ferroelectric film 71 en een tussenlaag isolerende film 32 wordt ingevoegd en de zijmuren van een film 51 van de verspreidingsbarrière niet gebracht=worden= in direct contact met ferroelectric film 71, Daardoor, kan de reactie tussen tussenlaag isolerende film 32 en ferroelectric film 71 worden beperkt en de afschilfering van ferroelectric film 71 kan worden verhinderd.
