A semiconductor triode comprises a gate electrode provided on a channel
layer, wherein there is interposed an insulating metal oxide layer between
a top surface of the channel layer and the gate electrode.
Um triode do semicondutor compreende um elétrodo de porta fornecido em uma camada da canaleta, wherein interposed uma camada isolando do óxido de metal entre uma superfície superior da camada da canaleta e o elétrodo de porta.
