A thin-film transistor is formed on a transparent substrate and has a gate
electrode film layer and a source and drain regions, and further has an
alignment mark made of one and the same constituent material as a
constituent material of at least one of the gate electrode film layer and
source and drain regions and formed at one and the same position as the
gate electrode film layer or source and drain region.
Een thin-film transistor wordt gevormd op een transparant substraat en heeft bron en afvoerkanaalgebieden van een de filmlaag van de poortelektrode en de, en bevordert heeft een groeperingsteken dat van één en het zelfde constituerende materiaal wordt gemaakt zoals een constituerend materiaal van minstens één van de de filmlaag van de poortelektrode en de bron en afvoerkanaalgebieden en dat bij één en de zelfde positie wordt gevormd zoals de de filmlaag van de poortelektrode of bron en afvoerkanaalgebied.
