The present invention provides methods of forming contact holes and
integrated circuit devices having the same. A conductive plug is formed on
a substrate. A first insulating layer is formed on the conductive plug and
a second insulating layer is formed on the first insulating layer. The
second insulating layer is etched to expose at least a portion of the
first insulating layer and the first insulating layer is etched to expose
at least a portion of the conductive plug.
Die anwesende Erfindung liefert Methoden der Formung der Kontaktbohrungen und der Schaltungvorrichtungen, die dasselbe haben. Ein leitender Stecker wird auf einem Substrat gebildet. Eine erste Isolierschicht wird auf dem leitenden Stecker gebildet und eine zweite Isolierschicht wird auf der ersten Isolierschicht gebildet. Die zweite Isolierschicht wird geätzt, um mindestens einen Teil der ersten Isolierschicht herauszustellen und die erste Isolierschicht wird geätzt, um mindestens einen Teil des leitenden Steckers herauszustellen.
