In the semiconductor laser module testing device, a temperature control
power source changes a temperature of a wavelength locker module, and a
wavelength monitoring bias circuit detects an output of a wavelength
monitor in the changed temperature range and computes a correlation
between a temperature of a semiconductor laser and a wavelength of light
output therefrom. Moreover, the wavelength of the output light is locked
by controlling the temperature of the wavelength locker module while
feeding back the output of the wavelength monitor by a wavelength feedback
circuit based on the obtained correlation between the temperature and the
wavelength.
Dans le dispositif d'essai de module de laser de semi-conducteur, une source d'énergie de commande de température change une température d'un module de casier de longueur d'onde, et une longueur d'onde surveillant le circuit polarisé détecte un résultat d'un moniteur de longueur d'onde dans la température ambiante changée et calcule une corrélation entre une température d'un laser de semi-conducteur et une longueur d'onde d'intensité lumineuse de là. D'ailleurs, la longueur d'onde de la lumière de rendement est fermée à clef en commandant la température du module de casier de longueur d'onde tout en retournant le rendement de la longueur d'onde surveillent par un circuit de rétroaction de longueur d'onde basé sur la corrélation obtenue entre la température et la longueur d'onde.
