A new method is provided for the creation of an adhesion/barrier layer over
which a tungsten interconnect is created. The invention reduces metal
extrusion and effects of pin-holes by dividing the process of barrier
material of TiN deposition into phases, whereby after about half the
thickness of the required layer of TiN has been deposited, an intermediate
and very thin layer of Ti is deposited. After the thin layer of Ti has
been deposited, the deposition of the barrier layer of TiN is continued to
the point where the required thickness for the layer of TiN has been
reached.
Eine neue Methode wird für die Kreation eines adhesion/barrier Schichtüberschusses zur Verfügung gestellt, den eine Wolframverknüpfung verursacht wird. Die Erfindung verringert Metallstrangpresßling und Effekte von Splintlöchern, indem man den Prozeß des Sperre Materials der Zinnabsetzung in Phasen, hingegen, nachdem ungefähr Hälfte die Stärke der erforderlichen Schicht des Zinns niedergelegt worden ist, ein Vermittler und ein sehr Dünnschicht vom Ti teilt, wird niedergelegt. Nachdem die Dünnschicht von Ti niedergelegt worden ist, wird die Absetzung der Grenzschicht des Zinns zum Punkt fortgesetzt, in dem die erforderliche Stärke für die Schicht des Zinns erreicht worden ist.
