A high-frequency semiconductor device is provided with a ceramic substrate,
an element group including semiconductor elements and passive components
mounted onto a bottom portion of the ceramic substrate, and a composite
resin material layer formed on the bottom portion of the ceramic substrate
so as to bury the element group. The composite resin material layer is
formed by a composite resin material including an epoxy resin and an
inorganic filler material, and has a flat bottom surface on which
electrodes for connecting to the outside are formed. As packaging of a
structure in which the receiving system and the transmitting system are
formed in a single unit, such as an RF module, the high-frequency
semiconductor device achieves a small size, a high mounting density, and
excellent heat release properties.
Σε μια υψηλής συχνότητας συσκευή ημιαγωγών παρέχεται ένα κεραμικό υπόστρωμα, μια ομάδα στοιχείων συμπεριλαμβανομένων των στοιχείων ημιαγωγών και των παθητικών συστατικών που τοποθετούνται επάνω σε μια κατώτατη μερίδα του κεραμικού υποστρώματος, και ένα σύνθετο υλικό στρώμα ρητίνης που διαμορφώνεται στην κατώτατη μερίδα του κεραμικού υποστρώματος ώστε να θαφτεί η ομάδα στοιχείων. Το σύνθετο υλικό στρώμα ρητίνης διαμορφώνεται από ένα σύνθετο υλικό ρητίνης συμπεριλαμβανομένης μιας εποξικής ρητίνης και ένα ανόργανο υλικό υλικών πληρώσεως, και έχει μια επίπεδη κατώτατη επιφάνεια στην οποία τα ηλεκτρόδια για τη σύνδεση με το εξωτερικό διαμορφώνονται. Όπως συσκευάζοντας μιας δομής στην οποία το λαμβάνον σύστημα και το διαβιβάζοντας σύστημα διαμορφώνονται σε μια ενιαία μονάδα, όπως μια ενότητα RF, η υψηλής συχνότητας συσκευή ημιαγωγών επιτυγχάνει ένα μικρό μέγεθος, μια υψηλή τοποθετώντας πυκνότητα, και τις άριστες ιδιότητες απελευθέρωσης θερμότητας.
