A method of manufacturing a semiconductor device according to the present
invention forms a laminate metal film having a copper metal layer and a
barrier metal, and once immerses the laminate metal film in a solution
including organic acid having at least one carboxyl group before a heat
treatment, thereby removing from the laminate metal film an oxide which is
the source of oxygen that diffuses during the heat treatment.
Une méthode de fabriquer un dispositif de semi-conducteur selon l'invention de présent forme un film en stratifié en métal ayant une couche de cuivre en métal et un métal de barrière, et immerge une fois le film en stratifié en métal dans une solution comprenant l'acide organique ayant au moins un groupe carboxylique avant un traitement thermique, éliminant de ce fait du film en stratifié en métal un oxyde qui est la source de l'oxygène qui répand pendant le traitement thermique.
