The invention is directed to a fabrication method of copper interconnects
using dual damascene processing. Using silicon to provide an active
surface, palladium can be selectively deposited on silicon by an immersion
plating technique. After palladium deposition (about 1000 .ANG. thick),
either a layer of cobalt phosphorus or alloy cobalt/nickel phosphorus or
nickel phosphorus is deposited on the palladium layer using an electroless
plating technique. This cobalt phosphorus, cobalt/nickel phosphorus alloy,
or nickel phosphorus layer serves as a copper diffusion barrier. The via
and trenches are filled with copper by an electroless copper plating
method and CMP is used to remove the excess copper and planarize-/-polish
the copper/dielectric surface.
Die Erfindung wird auf eine Herstellung Methode des Kupfers zusammenschaltet mit der damascene Verdoppelungverarbeitung verwiesen. Mit Silikon, eine aktive Oberfläche zur Verfügung zu stellen, kann Palladium auf Silikon durch eine Herstellung von Überzügentechnik selektiv niedergelegt werden. Nach Palladiumabsetzung (ANG. Ungefähr 1000 dick), entweder eine Schicht Kobaltphosphor- oder -legierungscobalt/nickel Phosphor oder Nickelphosphor wird auf der Palladiumschicht mit einer electroless Überzugtechnik niedergelegt. Dieser Kobaltphosphor, cobalt/nickel Phosphorlegierung oder Nickelphosphorschicht dient als kupferne Diffusion (Zerstäubung) Sperre. Über und Gräben werden mit Kupfer durch eine electroless Verkupferungmethode gefüllt und CMP wird benutzt, um das überschüssige Kupfer und das planarize-/-polish zu entfernen die copper/dielectric Oberfläche.
