After an amorphous semiconductor thin film is crystallized by utilizing a
catalyst element, the catalyst element is removed by performing a heat
treatment in an atmosphere containing a halogen element. A resulting
crystalline semiconductor thin film exhibits {110} orientation. Since
individual crystal grains have approximately equal orientation, the
crystalline semiconductor thin film has substantially no grain boundaries
and has such crystallinity as to be considered a single crystal or
considered so substantially.
Αφότου κρυσταλλώνεται μια άμορφη λεπτή ταινία ημιαγωγών με τη χρησιμοποίηση ενός στοιχείου καταλυτών, το στοιχείο καταλυτών αφαιρείται με την εκτέλεση μιας θερμικής επεξεργασίας σε μια ατμόσφαιρα που περιλαμβάνει ένα στοιχείο αλόγονου. Μια προκύπτουσα κρυστάλλινη λεπτή ταινία ημιαγωγών εκθέτει {ton προσανατολισμό 110 }. Δεδομένου ότι τα μεμονωμένα σιτάρια κρυστάλλου έχουν τον περίπου ίσο προσανατολισμό, η κρυστάλλινη λεπτή ταινία ημιαγωγών έχει ουσιαστικά καθόλου τα όρια σιταριού και έχει τέτοια διαύγεια ώστε να θεωρηθεί ενιαίο κρύσταλλο ή να εξεταστεί τόσο ουσιαστικά.
