The present invention relates to a method of forming a gate electrode in a
semiconductor device. Upon deposition processes for forming doped and
undoped polysilicon films constituting a gate electrode, the deposition
processes are performed at different temperatures. Thus, generation of an
alien substance on the surface of the doped polysilicon film can be
prohibited. As a result, the gate electrode having no defect can be
implemented.
Η παρούσα εφεύρεση αφορά μια μέθοδο ένα ηλεκτρόδιο πυλών σε μια συσκευή ημιαγωγών. Επάνω στις διαδικασίες απόθεσης για τις ναρκωμένες και undoped ταινίες πολυπυρίτιων που αποτελούν ένα ηλεκτρόδιο πυλών, οι διαδικασίες απόθεσης εκτελούνται στις διαφορετικές θερμοκρασίες. Κατά συνέπεια, η παραγωγή μιας αλλοδαπής ουσίας στην επιφάνεια της ναρκωμένης ταινίας πολυπυρίτιων μπορεί να απαγορευθεί. Κατά συνέπεια, το ηλεκτρόδιο πυλών που δεν έχει καμία ατέλεια μπορεί να εφαρμοστεί.
