The input/output circuit of the present invention includes a first
p-channel transistor and a charge drawing circuit. The first p-channel
transistor is connected to an input/output pad of the semiconductor
integrated circuit. The charge drawing circuit, driven with a control
signal, draws a charge from an n-well diffusion region of the p-channel
transistor during output. By the charge drawing, the potential at the
n-well diffusion region of the p-channel transistor is kept at the supply
voltage during output, and thus the input/output circuit is prevented from
deterioration in current flow capability due to a back bias effect.
O circuito do input/output da invenção atual inclui um primeiro transistor da p-canaleta e um circuito extraindo da carga. O primeiro transistor da p-canaleta é conectado a uma almofada do input/output do circuito integrado do semicondutor. O circuito extraindo da carga, dirigido com um sinal de controle, extrai uma carga de uma região da difusão do n-well do transistor da p-canaleta durante a saída. Pelo desenho da carga, o potencial na região da difusão do n-well do transistor da p-canaleta é mantido na tensão de fonte durante a saída, e o circuito do input/output é impedido assim da deterioração na potencialidade atual do fluxo devido a um efeito diagonal traseiro.
