There have been problems in that a dedicated apparatus is needed for a
conventional method of manufacturing an organic thin film transistor and
in that: a little amount of an organic semiconductor film is formed with
respect to a usage amount of a material; and most of the used material is
discarded. Further, apparatus maintenance such as cleaning of the inside
of an apparatus cup or chamber has needed to be frequently carried out in
order to remove the contamination resulting from the material that is
wastefully discarded. Therefore, a great cost for materials and man-hours
for maintenance of apparatus have been required. In the present invention,
a uniform organic semiconductor film is formed by forming an aperture
between a first substrate for forming the organic semiconductor film and a
second substrate used for injection with an insulating film formed at a
specific spot and by injecting an organic semiconductor film material into
the aperture due to capillarity to the aperture. The insulating film
formed at the specific spot enables formation of the organic semiconductor
film with high controllability. Further, the insulating film can also
serve as a spacer that holds the aperture, that is, an interval (gap)
between the substrates.
Ha habido problemas en que un aparato dedicado es necesario para un método convencional de fabricar un transistor orgánico de la película fina y en eso: una pequeña cantidad de una película orgánica del semiconductor se forma con respecto a una cantidad del uso de un material; y la mayoría del material usado se desecha. Además, el mantenimiento del aparato tal como limpieza del interior de una taza del aparato o el compartimiento ha necesitado ser realizado con frecuencia para quitar la contaminación resultando del material que se desecha derrochador. Por lo tanto, un gran coste para los materiales y las horas-hombre para el mantenimiento del aparato se han requerido. En la actual invención, una película orgánica uniforme del semiconductor es formada formando una abertura entre un primer substrato para formar la película orgánica del semiconductor y un segundo substrato usado para la inyección con una película aislador formada en un punto específico e inyectando un material orgánico de la película del semiconductor en la abertura debido a la capilaridad a la abertura. La película aislador formó en el punto específico permite la formación de la película orgánica del semiconductor con alta controlabilidad. Además, la película aislador puede también servir como espaciador que sostenga la abertura, es decir, un intervalo (boquete) entre los substratos.
