The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor
device having an excellent gettering effect. In this method, when
phosphorus is added to a poly-Si film, which has been crystallized by the
addition of a metal, to subject the resultant poly-Si film to the heat
treatment to carry out gettering therefor, the device is performed for the
shape of the island-like insulating film on the poly-Si film which is
employed when implanting phosphorus. Thereby, the area of the boundary
surface between the region to which phosphorus has been added and the
region to which no phosphorus has been added is increased to enhance
gettering efficiency.
Η παρούσα εφεύρεση αφορά μια μέθοδο μια συσκευή ημιαγωγών που έχει μια άριστη gettering επίδραση. Σε αυτήν την μέθοδο, όταν προστίθεται ο φώσφορος σε μια ταινία πολυ-Si, η οποία έχει κρυσταλλωθεί από την προσθήκη ενός μετάλλου, για να υποβάλει την επακόλουθη ταινία πολυ-Si στη θερμική επεξεργασία για να πραγματοποιήσει gettering γί αυτό, η συσκευή εκτελείται για τη μορφή της νησί-όπως μονώνοντας ταινίας στην ταινία πολυ-Si που υιοθετείται κατά την εμφύτευση του φωσφόρου. Με αυτόν τον τρόπο, ο τομέας της επιφάνειας ορίου μεταξύ της περιοχής στην οποία ο φώσφορος έχει προστεθεί και η περιοχή στην οποία κανένας φώσφορος δεν έχει προστεθεί αυξάνεται για να ενισχύσει gettering την αποδοτικότητα.
