In methods for storing data in a non-volatile ferroelectric random access
memory wherein destructive readout operations are followed by rewrite
operations, identical copies of the data are stored in different memory
locations that do not have any common word lines or alternative neither
common word lines nor common bit lines. A first word line or a segment of
a first word line is read in its entirety, said word line or said segment
including at least a first copy of the identical copies of data. The data
thus read are rewritten to the memory location and in addition transferred
from the memory location in question to an appropriate cache location,
whereafter subsequent memory locations either in the form of word lines or
segments thereof are read, and data rewritten to the cache location. The
operation is repeated until all identical copies of the data have been
transferred to the cache storage. Subsequently bit errors are detected by
comparing the identical copies in a memory control logic circuit, which
also may be used for caching readout data copies or alternatively be
connected with a separate cache memory. Corrected data are written back to
the appropriate memory locations holding bit errors when the latter have
been detected.
In den Methoden für die Speicherung von von Daten in einem permanenten ferroelectric RAM, worin zerstörende Auslesenbetriebe von den Neufassung Betrieben gefolgt werden, werden identische Kopien der Daten in den unterschiedlichen Gedächtnispositionen gespeichert, die keine allgemeinen Wortlinien oder Alternativweder allgemeine Wortlinien noch allgemeine Spitze Linien haben. Einer ersten Wortlinie oder einem Segment einer ersten Wortlinie wird innen seiner Ganzheit, besagten Wortlinie oder besagtes Segment einschließlich mindestens eine erste Kopie der identischen Kopien von Daten gelesen. Die folglich gelesenen Daten werden zur Gedächtnisposition neu geschrieben und in der Hinzufügung, die von der Gedächtnisposition in der Frage auf eine passende Pufferspeicherposition, whereafter werden folgende gebracht wird, Gedächtnispositionen entweder in der Form der Wortlinien oder der Segmente davon gelesen und Daten geschrieben zur Pufferspeicherposition neu. Der Vorgang wird wiederholt, bis alle identischen Kopien der Daten auf den Pufferspeicherspeicher gebracht worden sind. Nachher werden Spitze Störungen ermittelt, indem man die identischen Kopien in einem Gedächtnissteuerlogikstromkreis vergleicht, der für das Cachieren der Auslesendatenkopien auch benutzt werden oder mit einem unterschiedlichen Cachespeicher wechselweise angeschlossen werden kann. Behobene Daten werden zurück zu den passenden Gedächtnispositionen geschrieben, die Spitze Störungen halten, wenn die letzten ermittelt worden sind.
