A semiconductor memory device comprises a plurality of memory cells each
having a source terminal and a drain terminal and a ferroelectric
capacitor having a first terminal connected to the source terminal,
wherein the plurality of memory cells are connected in series, and one or
more selected transistors connected to at least one terminal of the series
connected memory cells to constitute a memory cell block, the memory cell
block having one terminal connected to a bitline and another terminal
connected to a plate electrode, and wherein two memory cell blocks, which
are respectively connected to two bit lines forming a bit line pair and
also connected to the same word line, are respectively connected to a
first plate electrode and a second plate electrode.
Un dispositivo di memoria a semiconduttore contiene una pluralità le cellule di memoria ciascuno che ha un terminale di fonte e un terminale dello scolo e un condensatore ferroelectric che hanno un primo terminale collegato al terminale di fonte, in cui la pluralità di cellule di memoria è collegata in serie e ad uno o più transistori selezionati collegati almeno ad un terminale delle cellule di memoria collegate serie per costituire un blocchetto delle cellule di memoria, il blocchetto delle cellule di memoria che ha un terminale collegato ad un bitline ed altro terminale collegato ad un elettrodo della piastra ed in cui due blocchetti delle cellule di memoria, che sono collegati rispettivamente a due linee del bit che formano una linea accoppiamento della punta ed inoltre sono collegati alla stessa linea di parola, sono rispettivamente collegato ad un primo elettrodo della piastra e ad un secondo elettrodo della piastra.
