An implementing method for buffering devices is provided, so as to dispose
the buffering devices on a chip. The chip includes a signal source root
and the number X of output bonding pads, in which the number X is a
positive integer. The implementing method of the present invention
includes (a) implementing a buffering device for the N.sup.th layer at a
location close to the middle place between two output bonding pads, and
electrically connecting each one of the output bonding pads to the
corresponding one of the buffering devices for the N.sup.th layer,
respectively. (b) A buffering device for the N+1.sup.th layer is
implemented at a location close to the middle place between two buffering
devices for the N.sup.th layer, and each one of the buffering devices for
the N.sup.th layer is electrically connected to the corresponding one of
the buffering devices for the N+1.sup.th layer, respectively. Then, the
number of the buffering devices for the N+1.sup.th layer is judged whether
or not to be 1. If it is, then the buffering device for the N+1.sup.th
layer is connected to the signal source root and the method goes to end.
If it is not, the method goes to the step (c). In the step (c), the
quantity of the parameter N is added by 1, and then the method repeatedly
performs the step (b).
Обеспечены, что, размещает снабжая метод для амортизировать приспособления приспособления буферности на обломоке. Обломок вклюает корень источника сигнала и x пусковых площадок bonding выхода, в которых x будет положительный интежер. Снабжая метод присытствыющего вымысла вклюает (a) снабжающ приспособление буферности для слоя N.sup.th на положении close to среднее место между 2 ыми пусковыми площадками bonding, и электрически соединяющ each one из пусковых площадок bonding выхода до соответствуя одно из приспособлений буферности для слоя N.sup.th, соответственно. (b) Приспособление буферности для слоя N+1.sup.th снабжено на положении close to среднее место между 2 амортизируя приспособлениями для слоя N.sup.th, и each one из приспособлений буферности для слоя N.sup.th электрически подключено до соответствуя одно из приспособлений буферности для слоя N+1.sup.th, соответственно. После этого, рассужен число приспособлений буферности для слоя N+1.sup.th ли или не быть 1. Если он, то приспособление буферности для слоя N+1.sup.th соединено к корню источника сигнала и метод идет закончиться. Если он не, то метод идет к шагу (c). В шаге (c), количество параметра н добавлено 1, и после этого метод повторно выполняет шаг (b).
