A semiconductor laser device including a lower cladding layer stacked on a
compound semiconductor substrate, an active layer stacked on the lower
cladding layer, an upper first cladding layer stacked on the active layer,
a ridge-shaped upper second cladding layer provided on the upper first
cladding layer, current blocking layers provided on both sides of the
upper second cladding layer, and a contact layer provided on the upper
second cladding layer. The distance between the upper surface of the
active layer and the upper surface of the upper second cladding layer is
shorter than the distance between the lower surface of the lower cladding
layer and the lower surface of the active layer.
Un dispositivo del laser a semiconduttore compreso uno strato più basso del rivestimento impilato su un substrato a semiconduttore compound, uno strato attivo impilato sullo strato più basso del rivestimento, un primo strato superiore del rivestimento impilato sullo strato attivo, un cresta-a forma di strato del rivestimento della tomaia seconda ha fornito sul primo strato superiore del rivestimento, corrente che ostruisce gli strati forniti da entrambi i lati del secondo strato superiore del rivestimento e di uno strato del contatto fornito sul secondo strato superiore del rivestimento. La distanza fra la superficie superiore dello strato attivo e la superficie superiore del secondo strato superiore del rivestimento è più corta della distanza fra l'intradosso dello strato più basso del rivestimento e l'intradosso dello strato attivo.
