A ferromagnetic tunnel magnetoresistive film is associated with a high
output and whose magnetoresistive ratio is less dependent on a bias
voltage. In a three-terminal ferromagnetic tunnel magnetoresistive
element, a decrease in an output is suppressed by a bias voltage applied
to one of the tunnel junctions. By employing half-metallic ferromagnets in
the element, the output can be enhanced and the dependency on the applied
bias voltage can be reduced.
Een ferromagnetische tunnel magnetoresistive film wordt geassocieerd met een hoge output en de waarvan magnetoresistive verhouding van een bias voltage minder afhankelijk is. In een drie-eind ferromagnetisch tunnel magnetoresistive element, wordt een daling van een output door een bias voltage onderdrukt dat op één van de tunnelverbindingen wordt toegepast. Door helft-metaalferromagnets in het element aan te wenden, kan de output worden verbeterd en het gebiedsdeel op het toegepaste bias voltage kan worden verminderd.
