In an FCRAM having a late write function, when a first command signal
indicates "write active", whether a write operation or an auto-refresh
operation is to be performed is determined on the basis of a second
command signal. For example, when the second command signal indicates
"write", a write operation for a memory cell is performed by a late write
scheme. When the second command signal indicates "auto-refresh", an
auto-refresh operation is performed. In the last write cycle of a write
operation immediately preceding this auto-refresh operation, addresses for
selecting a memory cell as an object of auto-refresh are predetermined.
After data write to a memory cell is completed in the last write cycle,
row precharge for auto-refresh is performed. After that, an auto-refresh
operation (i.e., a data read operation and a data restore operation) is
performed for the selected memory cell.
In un FCRAM che ha un ritardato scriva la funzione, quando un primo segnale di ordine indica che "scriva attivo", se un funzionamento di scrittura o un funzionamento di automobile-rinfresc deve essere effettuato è determinato in base ad un secondo segnale di ordine. Per esempio, quando il secondo segnale di ordine indica "scriva", un funzionamento di scrittura per una cellula di memoria è effettuato da un ritardato scrivono lo schema. Quando il secondo segnale di ordine indica "automobile-rinfreschi", un funzionamento di automobile-rinfresc è effettuato. Nell'ultimo scriva il ciclo di un funzionamento di scrittura immediatamente prima di questa automobile-rinfrescano il funzionamento, indirizzi per la selezione della cellula di memoria come un oggetto di automobile-rinfresca è predeterminato. Dopo che i dati scrivano ad una cellula di memoria siano completati nell'ultimo scrivano il ciclo, precarica di fila per automobile-rinfreschino siano effettuati. Dopo il quel, un funzionamento di automobile-rinfresc (cioè, i dati operazione di lettura e un funzionamento di restore di dati) è realizzato per la cellula di memoria selezionata.
