A film thickness measuring method comprises projecting white light onto a
wafer with a film to be measured and sensing a first reflected light
intensity from the wafer, determining the first reflected light intensity
in the form of a first light intensity profile with wavelength as the
abscissa axis and light intensity as the ordinate axis, projecting the
white light onto a reference sample having the same structure as that of
the underlying layer below the film and sensing a second reflected light
intensity from the sample, determining the second reflected light
intensity in the form of a second light intensity profile similarly to the
first light intensity profile, calculating a normalized light intensity
profile by dividing the first light intensity profile by the second light
intensity profile, and calculating the film thickness of the film to be
measured from the normalized light intensity profile.
Une méthode de mesure d'épaisseur de film comporte projeter la lumière blanche sur une gaufrette avec un film pour être mesurée et la sensation d'une intensité de la lumière d'abord reflétée de la gaufrette, déterminant l'intensité de la lumière d'abord reflétée sous forme de premier profil d'intensité de la lumière avec la longueur d'onde comme axe d'abscisse et l'intensité de la lumière comme axe d'ordonnée, projetant la lumière blanche sur un échantillon de référence ayant la même structure que celui de la couche fondamentale au-dessous du film et sentant une seconde a reflété l'intensité de la lumière de l'échantillon, déterminant la seconde a reflété l'intensité de la lumière sous forme de deuxième profil d'intensité de la lumière pareillement au premier profil d'intensité de la lumière, calculant un profil normal d'intensité de la lumière par divisant le premier profil d'intensité de la lumière par le deuxième profil d'intensité de la lumière, et calculant l'épaisseur de film du film à mesurer à partir du profil normal d'intensité de la lumière.
