There is provided a method for manufacturing capacitor in a semiconductor
memory device. The method for manufacturing a memory device having a
dielectric layer includes the steps of forming a seed layer as a first
dielectric layer by using an ALD method and forming a second dielectric
layer by using a CVD method.
È fornito un metodo per la produzione del condensatore in un dispositivo di memoria a semiconduttore. Il metodo per la produzione del dispositivo di memoria che ha uno strato dielettrico include i punti di formare uno strato del seme come primo strato dielettrico usando un metodo di ALD e formando un secondo strato dielettrico usando un metodo di CVD.
