A CMOS imager which includes a substrate voltage pump to bias a doped area
of a substrate to prevent leakage into the substrate from the transistors
formed in the doped area. The invention also provides a CMOS imager where
a photodetector sensor array is formed in a first p-well and readout logic
is formed in a second p-well. The first p-well can be selectively doped to
optimize cross-talk, collection efficiency and transistor leakage, thereby
improving the quantum efficiency of the sensor array while the second
p-well can be selectively doped and/or biased to improve the speed and
drive of the readout circuitry.
Une encre en poudre de CMOS qui inclut une pompe de tension de substrat pour polariser un secteur enduit d'un substrat pour empêcher la fuite dans le substrat des transistors a formé dans le secteur enduit. L'invention fournit également une encre en poudre de CMOS où une rangée de sonde de détecteur photoélectrique est formée dans un premier p-well et logique d'afficheur est formé dans un deuxième p-well. Le premier p-well peut être sélectivement enduit pour optimiser l'interférence, l'efficacité de collection et la fuite de transistor, améliorant de ce fait l'efficacité de quantum de la rangée de sonde tandis que le deuxième p-well peut être sélectivement enduit et/ou polarisé pour améliorer la vitesse et la commande des circuits d'afficheur.
