Nitride semiconductor layer structure and a nitride semiconductor laser incorporating a portion of same

   
   

The nitride semiconductor layer structure comprises a buffer layer and a composite layer on the buffer layer. The buffer layer is a layer of a low-temperature-deposited nitride semiconductor material that includes AlN. The composite layer is a layer of a single-crystal nitride semiconductor material that includes AlN. The composite layer includes a first sub-layer adjacent the buffer layer and a second sub-layer over the first sub-layer. The single-crystal nitride semiconductor material of the composite layer has a first AlN molar fraction in the first sub-layer and has a second AlN molar fraction in the second sub-layer. The second AlN molar fraction is greater than the first AlN molar fraction. The nitride semiconductor laser comprises a portion of the above-described nitride semiconductor layer structure, and additionally comprises an optical waveguide layer over the composite layer and an active layer over the optical waveguide layer.

La structure de couche de semi-conducteur de nitrure comporte une couche d'amortisseur et une couche composée sur la couche d'amortisseur. La couche d'amortisseur est une couche d'un matériel bas-température-déposé de semi-conducteur de nitrure qui inclut AlN. La couche composée est une couche d'un matériel de semi-conducteur de nitrure de simple-cristal qui inclut AlN. La couche composée inclut une première sous-couche adjacente la couche d'amortisseur et un deuxième excédent de sous-couche la première sous-couche. Le matériel de semi-conducteur de nitrure de simple-cristal de la couche composée a une première fraction molaire d'AlN dans la première sous-couche et a une deuxième fraction molaire d'AlN dans la deuxième sous-couche. La deuxième fraction molaire d'AlN est plus grande que la première fraction de molaire d'AlN. Le laser de semi-conducteur de nitrure comporte une partie de la structure décrite ci-dessus de couche de semi-conducteur de nitrure, et comporte en plus une couche optique de guide d'ondes au-dessus de la couche composée et d'une couche active au-dessus de la couche optique de guide d'ondes.

 
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