The present method prevents malfunctions in switching caused by a light
leakage current in an active matrix type thin film transistor substrate
for a liquid crystal display and prevents display failures, by selectively
disposing a self assembled monolayer film in a gate electrode-projected
region of the surface of an insulator film with high definition, and by
selectively improving the orientation order of an organic semiconductor
film only in the gate electrode-projected region without improving the
order at an irradiated portion with light outside the gate
electrode-projected region.
O método atual impede maus funcionamentos no switching causado por uma corrente clara do escapamento em um tipo ativo carcaça da matriz do transistor da película fina para uma exposição de cristal líquida e impede falhas da exposição, seletivamente dispondo uma película montada self do monolayer em uma porta elétrodo-projetou a região da superfície de uma película do isolador com definição elevada, e seletivamente melhorando a ordem da orientação de uma película orgânica do semicondutor somente na porta elétrodo-projetou a região sem melhorar a ordem em uma parcela irradiated com o claro fora da região elétrodo-projetada porta.
