A silicon structure is at least partially thermally isolated from a
substrate by a gap formed in an insulation layer disposed between the
substrate and a silicon layer in which the silicon structure is formed. In
embodiments, the substrate is made of silicon and the silicon layer is
made of single crystal silicon. In embodiments, the gap is formed such
that a surface of the substrate under the gap is maintained substantially
unetched. In other embodiments, the gap is formed without affecting the
surface of the substrate underlying the gap. In particular, the gap may be
formed by removing a portion of the insulation layer with an etch that
does not affect the surface of the substrate underlying the gap. In
embodiments the etch is highly selective between the material of the
insulation layer and the material of the substrate. The etch selectivity
may be about 20:1 or greater.
Eine Silikonstruktur wird mindestens teilweise thermisch von einem Substrat durch einen Abstand lokalisiert, der in einer Isolierung Schicht gebildet wird, die zwischen dem Substrat und einer Silikonschicht, in denen die Silikonstruktur, abgeschaffen wird gebildet wird. In den Verkörperungen wird das Substrat vom Silikon gebildet und die Silikonschicht wird vom Silikon des einzelnen Kristalles gebildet. In den Verkörperungen wird dem Abstand so gebildet, daß eine Oberfläche des Substrates unter dem Abstand unetched im wesentlichen beibehalten wird. In anderen Verkörperungen wird der Abstand gebildet, ohne die Oberfläche des zugrundeliegenden Substrates zu beeinflussen der Abstand. Insbesondere kann der Abstand gebildet werden, indem man einen Teil der Isolierung Schicht mit einer Ätzung entfernt, die nicht die Oberfläche des zugrundeliegenden Substrates der Abstand beeinflußt. In den Verkörperungen ist die Ätzung zwischen dem Material der Isolierung Schicht und dem Material des Substrates in hohem Grade vorgewählt. Die Ätzungselektivität kann ungefähr 20:1 oder grösser sein.
