A method for reducing the surface roughness of a metal layer is provided.
In some embodiments, the method may include depositing a fill layer upon a
metal layer and subsequently polishing the fill layer. In some cases, the
method may form a surface in which an upper surface of the fill layer is
substantially level with at least one of the peaks associated with the
surface roughness of the metal layer. In some cases, the surface may
include portions of the metal layer and portions of the fill layer
residing above the metal layer. In other cases, the method may include
forming a surface in which the fill layer is arranged above the metal
layer-fill layer interface. In either case, a semiconductor topography
having a metal layer with a mean surface roughness less than the mean
surface roughness obtained during the deposition of the metal layer may be
obtained.
Une méthode pour réduire la rugosité extérieure d'une couche en métal est fournie. Dans quelques incorporations, la méthode peut inclure déposer une couche de suffisance sur une couche en métal et polir plus tard la couche de suffisance. Dans certains cas, la méthode peut former une surface dans laquelle un extrados de la couche de suffisance est essentiellement de niveau avec au moins une des crêtes liées à la rugosité extérieure de la couche en métal. Dans certains cas, la surface peut inclure des parties de la couche en métal et les parties de la suffisance posent résider au-dessus de la couche en métal. Dans d'autres cas, la méthode peut inclure former une surface dans laquelle la couche de suffisance est arrangée au-dessus du métal couche-remplissent interface de couche. En l'un ou l'autre cas, une topographie de semi-conducteur ayant une couche en métal avec une rugosité extérieure moyenne moins que la rugosité extérieure moyenne obtenue pendant le dépôt de la couche en métal peut être obtenue.
