A semiconductor laser device includes an active layer configured to radiate
light, a light reflecting facet positioned on a first side of the active
layer, and a light emitting facet positioned on a second side of the
active layer thereby forming a resonator between the light reflecting
facet and the light emitting facet. A diffraction grating is positioned
within the resonator along a portion of the length of the active layer and
the laser device is configured to operate as a multiple mode oscillation
device. A window structure is provided between an end of the active layer
and one of the light reflecting and light emitting facets, and the window
structure is configured to reduce a reflectivity of the one of the light
reflecting and light emitting facets.
Een apparaat van de halfgeleiderlaser omvat een actieve laag die wordt gevormd om licht, een licht het nadenken facet dat aan een eerste kant van de actieve laag wordt, en een licht uitzendend facet uit te stralen dat aan een tweede kant van de actieve laag wordt geplaatst geplaatst die daardoor een resonator tussen het lichte het nadenken facet en het lichte uitzendende facet vormt. Diffractiegrating wordt geplaatst binnen de resonator langs een gedeelte van de lengte van de actieve laag en het laserapparaat wordt gevormd om als veelvoudig apparaat van de wijzeschommeling te werken. Een vensterstructuur wordt verstrekt tussen een eind van de actieve laag en één van het lichte nadenken en licht uitzendend facetten, en de vensterstructuur wordt gevormd om een reflectievermogen van één van het lichte nadenken en het licht te verminderen die facetten uitzenden.
