A light-emitting semiconductor device for producing red color optical
radiation has a cladding layer of AlGaInPAs having a lattice constant
between GaAs and GaP. Further, the laser diode uses an optical waveguide
layer in the system of GaInPAs free from Al. The semiconductor device may
be constructed on a GaPAs substrate.
Un dispositivo luminescente a semiconduttore per produrre la radiazione ottica di colore rosso ha uno strato del rivestimento di AlGaInPAs che ha una grata costante fra GaAs e lo spacco. Più ulteriormente, il diodo del laser usa uno strato ottico della guida di onde nel sistema di GaInPAs esente da Al. Il dispositivo a semiconduttore può essere costruito su un substrato di GaPAs.
