A method of treating an electrically non-conductive tunnel barrier layer
through an overlayer of a tunnel junction device with ultra-violet light
is disclosed. The method includes irradiating a tunnel barrier layer with
ultra-violet light through at least one overlayer that covers the tunnel
barrier layer to activate oxygen or nitrogen atoms disposed in the barrier
layer so that those atoms will react with a target material of the tunnel
barrier layer to form a uniformly oxidized or nitridized tunnel barrier
layer having minimal or no defects therein and/or a desired breakdown
voltage. The ultra violet light can irradiate the tunnel barrier layer
during or after the formation of the overlayer. Heat can be applied
before, during, or after the irradiation step to increase the activation
rate and to further reduce defects. The method is applicable to any tunnel
junction device including a magnetic field sensitive memory device such as
a MRAM.
Μια μέθοδος ένα ηλεκτρικά non-conductive στρώμα εμποδίων σηράγγων μέσω ενός overlayer μιας συσκευής συνδέσεων σηράγγων με το υπεριώδες φως αποκαλύπτεται. Η μέθοδος περιλαμβάνει την ακτινοβόληση ενός στρώματος εμποδίων σηράγγων με το υπεριώδες φως μέσω τουλάχιστον ενός overlayer που καλύπτει το στρώμα εμποδίων σηράγγων για να ενεργοποιήσει τα άτομα οξυγόνου ή αζώτου που διατίθενται στο στρώμα εμποδίων έτσι ώστε εκείνα τα άτομα θα αντιδράσουν με υλικό στόχων του στρώματος εμποδίων σηράγγων για να διαμορφώσουν ομοιόμορφα οξειδωμένη ή το στρώμα εμποδίων σηράγγων που δεν έχει ελάχιστο ή καμία ατέλεια εκεί μέσα ή/και μια επιθυμητή τάση διακοπής. Το υπερβολικό ιώδες φως μπορεί να ακτινοβολήσει το στρώμα εμποδίων σηράγγων κατά τη διάρκεια ή μετά από του σχηματισμού του overlayer. Η θερμότητα μπορεί να εφαρμοστεί πριν από, κατά τη διάρκεια, ή μετά από το βήμα ακτινοβολίας για να αυξήσει το ποσοστό ενεργοποίησης και για να μειώσει περαιτέρω τις ατέλειες. Η μέθοδος ισχύει σε οποιαδήποτε συσκευή συνδέσεων σηράγγων συμπεριλαμβανομένης μιας ευαίσθητης συσκευής μνήμης μαγνητικών πεδίων όπως ένα MRAM.
