A thyristor-based semiconductor device exhibits a relatively increased
base-emitter capacitance. According to an example embodiment of the
present invention, a base region and an adjacent emitter region of a
thyristor are doped such that the emitter region has a lightly-doped
portion having a light dopant concentration, relative to the base region.
In one embodiment, the thyristor is implemented in a memory circuit,
wherein the emitter region is coupled to a reference voltage line and a
control port is arranged for capacitively coupling to the thyristor for
controlling current flow therein. In another implementation, the thyristor
is formed on a buried insulator layer of a silicon-on-insulator (SOI)
structure. With these approaches, current flow in the thyristor, e.g., for
data storage therein, can be tightly controlled.
Un dispositivo tiristore-basato a semiconduttore esibisce una capacità relativamente aumentata dell'emettitore di base. Secondo un metodo di realizzazione di esempio di presente invenzione, una regione bassa e una regione adiacente dell'emettitore di un tiristore sono verniciate tali che la regione dell'emettitore ha una parte chiaro-verniciata avere una concentrazione di dopant chiara, riguardante la regione bassa. In un incorporamento, il tiristore è effettuato in un circuito di memoria, in cui la regione dell'emettitore è accoppiata ad una linea di tensione di riferimento e un orificio di controllo è assicurato capacitively l'accoppiamento al tiristore per il controllo del flusso corrente in ciò. In un'altra esecuzione, il tiristore è formato su uno strato sepolto dell'isolante di una struttura dell'silicone-su-isolante (SOI). Con questi metodi, il flusso corrente nel tiristore, per esempio, per immagazzinaggio di dati in ciò, può essere controllato strettamente.
