A method for controlling the operation of a dynamic random access memory
(DRAM) system, the DRAM system having a plurality of memory cells
organized into rows and columns, is disclosed. In an exemplary embodiment
of the invention, the method includes enabling a destructive read mode,
the destructive read mode for destructively reading a bit of information
stored within an addressed DRAM memory cell. The destructively read bit of
information is temporarily stored into a temporary storage device. A
delayed write back mode is enabled, the delayed write back mode for
restoring the bit of information back to the addressed DRAM memory cell at
a later time. The execution of the delayed write back mode is then
scheduled, depending upon the availability of space within the temporary
storage device.
Um método para controlar a operação de um sistema dinâmico da memória de acesso aleatório (DRAM), do sistema do DRAM tendo um plurality das pilhas de memória organizadas em fileiras e em colunas, é divulgado. Em uma incorporação exemplary da invenção, o método inclui permitir uma modalidade lida destrutiva, a modalidade lida destrutiva para destrutiva a leitura que um pouco de informação armazenou dentro de uma pilha de memória dirigida do DRAM. O bocado de informação destrutiva lido é armazenado temporariamente em um dispositivo de armazenamento provisório. Atrasado escreve a modalidade é permitido para trás, atrasado escreve para trás a modalidade restaurando o bocado da parte traseira da informação à pilha de memória dirigida do DRAM em uma estadia mais atrasada. A execução do atrasado escreve a modalidade é programada para trás então, dependendo em cima da disponibilidade do espaço dentro do dispositivo de armazenamento provisório.
