A predetermined number of erasable blocks positioned at a start of a volume
area in a semiconductor memory card are provided so as to include volume
management information. A user area following the volume management
information includes a plurality of clusters. A data length NOM of an area
from a master boot record & partition table sector to a partition boot
sector is determined so that the plurality of clusters in the user area
are not arranged so as to straddle erasable block boundaries. Since
cluster boundaries and erasable block boundaries in the user area are
aligned, there is no need to perform wasteful processing in which two
erasable blocks are erased to rewrite one cluster.
Un número predeterminado de los bloques borrables colocados en un comienzo de un área del volumen en una tarjeta de memoria de semiconductor se proporciona para incluir la información de la gerencia del volumen. Un área del usuario después de la información de la gerencia del volumen incluye una pluralidad de racimos. Una longitud NOM de los datos de un área de un expediente principal del cargador y del sector de la tabla de la partición a un sector del cargador de la partición se determina para no arreglar la pluralidad de racimos en el área del usuario para montar límites de bloque a horcajadas borrables. Puesto que los límites del racimo y los límites de bloque borrables en el área del usuario se alinean, no hay necesidad de realizar el proceso derrochador en cuál se borran dos bloques borrables para reescribir un racimo.
