Integrated circuit ferroelectric memory devices are provided that include
an integrated circuit transistor. The memory device further includes a
ferroelectric capacitor on the integrated circuit transistor. The
ferroelectric capacitor includes a first electrode adjacent the
transistor, a second electrode remote from the transistor and a
ferroelectric film therebetween. The memory device further includes a
plate line directly on the ferroelectric capacitor. Methods are also
provided that include forming a ferroelectric capacitor on the integrated
circuit transistor and forming a plate line directly on the ferroelectric
capacitor.
Ferroelectric geheugenapparaten worden van geïntegreerde schakelingen verstrekt die een transistor van geïntegreerde schakelingen omvatten. Het geheugenapparaat omvat verder een ferroelectric condensator op de transistor van geïntegreerde schakelingen. De ferroelectric condensator omvat een eerste elektrode adjacent de transistor, therebetween een tweede elektrode ver van de transistor en een ferroelectric film. Het geheugenapparaat omvat direct verder een plaatlijn op de ferroelectric condensator. De methodes worden ook verstrekt die het vormen van een ferroelectric condensator op de transistor van geïntegreerde schakelingen en direct het vormen van een plaatlijn op de ferroelectric condensator omvatten.
