In accordance with the invention, a light emitting device includes a
substrate, a layer of first conductivity type overlying the substrate, a
light emitting layer overlying the layer of first conductivity type, and a
layer of second conductivity type overlying the light emitting layer. A
plurality of vias are formed in the layer of second conductivity type,
down to the layer of first conductivity type. The vias may be formed by,
for example, etching, ion implantation, or selective growth of the layer
of second conductivity type. A set of first contacts electrically contacts
the layer of first conductivity type through the vias. A second contact
electrically contacts the layer of second conductivity type. In some
embodiments, the area of the second contact is at least 75% of the area of
the device. In some embodiments, the vias are between 2 and 100 microns
wide and spaced between 5 and 1000 microns apart.
В соответствии с вымыслом, светлое испуская приспособление вклюает субстрат, слой первого типа проводимости overlying субстрат, светлый испуская слой overlying слой первого типа проводимости, и слой второго типа проводимости overlying светлый испуская слой. Множественность vias сформирована в слое второго типа проводимости, вплоть до слой первого типа проводимости. Vias могут быть сформированы мимо, например, вытравлять, вживление иона, или селективный рост слоя второго типа проводимости. Комплект первых контактов электрически контактирует слой первого типа проводимости через vias. Второй контакт электрически контактирует слой второго типа проводимости. В некоторых воплощениях, зона второго контакта по крайней мере 75% из зоны приспособления. В некоторых воплощениях, vias находятся между 2 и 100 микронами широкими и пространств между 5 и 1000 микронов отделено.
