A method for programming a memory device is disclosed. In one method
embodiment, the present invention receives a measurement from a
temperature sensor located near a non-volatile programmable memory device.
Next, a transformation is accessed. Then, the measurement from the
temperature sensor is processed in conjunction with the transformation to
establish a programming time for a memory device as a function of a
programming voltage and the temperature of the memory device. The
programming voltage is then applied to the memory device for the length of
time specified by the programming time during the programming pulse of the
memory device to accurately program the device using an optimum amount of
current.
Un método para programar un dispositivo de memoria se divulga. En una encarnación del método, la actual invención recibe una medida de un sensor de temperatura situado cerca de un dispositivo de memoria programable permanente. Después, una transformación está alcanzada. Entonces, la medida del sensor de temperatura se procesa conjuntamente con la transformación para establecer un rato de programación para un dispositivo de memoria en función de un voltaje de programación y de la temperatura del dispositivo de memoria. El voltaje de programación entonces se aplica al dispositivo de memoria para la longitud del tiempo especificada por la época de programación durante el pulso de programación del dispositivo de memoria de programar exactamente el dispositivo usando una cantidad óptima de corriente.
